ウシオのチップ技術(①設計 ②エピタキシャル成長 ③デバイスプロセス)とパッケージ技術(①光学設計 ②熱設計)を最大限に活用した、ウシオの”テーラーメイドソリューション”により、お客様の新製品や新プロジェクトの開発の初期段階からの協業が新たなイノベーションを創出させます。

epitex series

「epitex」シリーズLEDは、25年以上の豊富な経験を基に、365nmの紫外線から、1650nmの赤外線まで、幅広い波長範囲の産業用LEDをご提供しています。また、1000nm以下の製品は20nm刻みで、1000nm以上の製品でも100nm刻みで、ラインナップしているので、お客様の用途に応じた、細かな波長選択が可能です。

Photodiode & Phototransistor NIR InGaAs and InAsP PIN-Photodiode

Photodiode & Phototransistor NIR InGaAs and InAsP PIN-Photodiode

Spec No. Active Area (mm2) Peak spectral response (nm) Reverse photo current (μA) Half angle swnsitivity
PD1300-35D00 0.35*0.35 1300 10 ±60°
PD1300-35D32 0.35*0.35 1300 22 ±15°
PD1300-35D52 0.35*0.35 1300 10 ±40°
PD1300-35T00 0.35*0.35 1300 10 ±60°
PD1300-35T32 0.35*0.35 1300 25 ±15°
PD1300-35T52 0.35*0.35 1300 10 ±40°
PD1300-130D32-I Φ1.0 dia. 1300 160 ±15°
PD1450-35T32 0.35*0.35 1450 10 ±40°
PD1450-35T54 0.35*0.35 1450 10 ±40°

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