技術・サポート情報
(レーザ)

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

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ウシオオプトセミコンダクター(UOS)のレーザダイオードは、下記に示す略号で型名・製造年月等を表します。

φ5.6mm より大きな外形の製品は、7~8 文字の数字・アルファベットの組み合わせにより、型名・製造年月等を表します。

第 1 文字および 第 2 文字 : 製品略号で個別に規定します。
(*製品略号が 1 文字の場合、左詰め表記となります)

第 3 文字 : 年コード。西暦年号の末尾の数字。
(例; 2014 → “4”)

第 4 文字: 月コード。アルファベットで表します。
(下記、表‐1 ご参照)

第 5~第 8 文字: UOS 内部管理コード。

φ3.8mm より小さな外形の製品は、6 文字の数字・アルファベットの組み合わせにより、型名・製造年月等を表します。

第 1 文字および 第 2 文字 : 製品略号で個別に規定します。

第 3 文字:年コード。西暦年号の末尾の数字。
(例; 2014 → “4”)

第 4 文字 : 月コード。アルファベットで表します。
(下記、表‐1 ご参照。)

第 5、第 6 文字:UOS 内部管理コード。

表-1)月コード
表-1)月コード

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