技術・サポート情報
(レーザ)

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

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ウシオオプトセミコンダクターズ(UOS)型名は、基本的に下記に示すような付け方をしています。

例: HL6354MG-A

  1. HL: UOS レーザダイオード
  2. 63: 波長: (最初の 2 文字で波長帯を表します)
    -40:400nm, 63: 635nm, 65: 655~660nm, 67: 670~680nm,
    70: 705nm, 73: 730nm, 83: 830nm (or 850nm)
  3. 54: 製品の固有番号
  4. MG: パッケージコード
    - G:φ9.0mm, MG:φ5.6mm(short can), DG:φ5.6mm (tall can),
    TG:φ3.8mm (short can), AT:φ3.8(tall can)
  5. -A: RoHS 適合表示*
    -A: RoHS 適合, <(–A:付記なし)): RoHS 適合せず>

* 現在生産している UOS 製品は、全て RoHS 適合品です。
データシートには、”-A”の付記はございません。

例: HL63101MG

  1. HL: UOS レーザダイオード
  2. 63: 波長: (最初の 2 文字で波長帯を表します)
    -40:400nm, 63: 635nm, 65: 655~660nm, 67: 670~680nm,
    70: 705nm, 73: 730nm, 83: 830nm (or 850nm)
  3. 10: 製品の固有番号
  4. 1: 内部回路構成の表示 (図 1 をご参照ください)
  5. MG: パッケージコード
    - G:φ9.0mm, MG:φ5.6mm(short can), DG:φ5.6mm (tall can),
    TG:φ3.8mm (short can), AT:φ3.8(tall can)

* 数字 5 文字の製品は全て、RoHS 適合品のため”-A”は、付記していません。

図 1   内部回路構成
図 1 内部回路構成

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